天眼查显示,湖南三安半导体有限责任公司“碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件”专利公布,申请公布日为2024年10月18日,申请公布号为cn118800798a。
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本申请提供的碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件,包括:
通过层叠形成张应力材料层和压应力材料层,且张应力材料层的应力值大于压应力材料层的应力值,在高温快速退火处理后,张应力材料层与压应力材料层之间产生的净剩张应力传递至沟道内,从而改善沟道迁移率,降低比导通电阻。
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