盛美上海等离子体增强原子层沉积炉管设备通过初步验证，原子层沉积炉管产品进一步强化

盛美上海（科创板股票代码：688082）近日宣布，其2024年推出的ultra fn a等离子增强型原子层沉积炉管设备（peald）已完成中国大陆某半导体客户的工艺验证，正进行最终优化，即将量产。同时，该公司2022年推出的ultra fn a热原子层沉积炉设备（thermal ald）也已通过另一家领先大陆客户的工艺验证，性能指标与国际同类产品相比毫不逊色，甚至更具优势。

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盛美上海董事长王晖博士指出，先进集成电路制造日益依赖高阶梯覆盖率和高质量的精准薄膜沉积技术。面对氮化碳硅、氮化硅薄膜和高低介电常数薄膜等沉积材料的挑战，盛美上海凭借其先进的原子层沉积（ALD）平台和工艺，已取得显著进展。公司独有的差异化设计方案有望解决先进三维结构制造中的难题。

盛美上海的Ultra Fn A ALD立式炉设备，包含热ALD和PEALD两种配置，可用于硬掩模层、阻挡层、间隔层、侧壁保护层和介质填充等薄膜沉积，满足不同工艺需求。两种配置均采用六单元系统，可同时处理多达100片300mm晶圆。设备还配备四个装载端口（装载区可控氧气浓度）、集成供气系统（IGS）和原位干法清洗系统，所有设计均符合SEMI标准。

Ultra Fn A 等离子增强原子层沉积设备 (PEALD)

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目前，盛美上海的Ultra Fn A PEALD设备主要用于沉积氮化硅(SiN)薄膜。其双层管设计和气流平衡技术显著提升了晶圆内（WIW）和晶圆间（WTW）的均匀性。等离子增强技术有效降低了器件热预算，而通过微调前驱体在前置单元的存储和释放量，则可精确控制器件的关键尺寸和图案轮廓。

Ultra Fn A 热模式原子层沉积设备 (Thermal ALD)

盛美上海的Ultra Fn A碳氮化硅(SiCN)热ALD设备已通过国内领先集成电路制造商的验证。该设备可实现超薄、无缺陷的薄膜沉积，并能精确控制薄膜厚度，达到原子级精度。同时，它支持精确的碳掺杂，从而提高薄膜硬度和耐腐蚀性，并具有内置干法清洁功能，保证颗粒稳定性。

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