☞☞☞AI 智能聊天, 问答助手, AI 智能搜索, 免费无限量使用 DeepSeek R1 模型☜☜☜

据韩国业内消息,三星电子正对旗下12纳米级DRAM芯片“D1b”进行设计升级。
“D1b”于2023年首次投入量产,广泛应用于显卡和手机DRAM领域。此次对已量产一年多的产品进行设计调整在半导体行业实属罕见。
业内专家分析,此举并非易事,设计变更会增加生产成本,这反映出三星电子对提升工艺和产品竞争力的迫切需求。
三星电子已启动“D1b”设计升级后的生产工艺改造,并在2024年底紧急订购相关设备,对现有生产线进行升级并完成技术转移。预计新款“D1b”将于今年内量产,最快可能在第二或第三季度面世。
此外,三星电子还启动了名为“D1b-p”的新项目,旨在进一步增强其DRAM产品的市场竞争力。
以上就是三星电子改进半导体存储器设计的详细内容,更多请关注php中文网其它相关文章!
每个人都需要一台速度更快、更稳定的 PC。随着时间的推移,垃圾文件、旧注册表数据和不必要的后台进程会占用资源并降低性能。幸运的是,许多工具可以让 Windows 保持平稳运行。
Copyright 2014-2025 https://www.php.cn/ All Rights Reserved | php.cn | 湘ICP备2023035733号