三安集成新一代砷化镓射频工艺加速高频应用商业化

5g-advanced自2023年底在3gpp release-18中正式亮相以来，持续推动行业在大规模mimo、超低时延通信和海量连接等关键性能上的突破，为2030年6g的商用落地铺平道路，同时也显著带动了射频前端市场的扩张。根据yole group的预测，到2030年，全球射频前端市场规模将攀升至697亿美元。

在此技术演进过程中，高性能模组化方案与新增频段的应用成为市场增长的核心驱动力，同时也带来了新的技术难题。为了满足终端设备对小型化和高能效的需求，射频前端模组必须向更高集成度发展，而高度集成也对产品稳定性与设计复杂度提出了更高要求；与此同时，随着工作频率不断升高以及各国和地区频谱部署策略的多样化，射频功率放大器的输出效率和天线调谐能力面临前所未有的挑战。

面对这些瓶颈，众多射频设计企业正加大研发投入，在架构创新与模组优化方面积极探索解决方案。三安集成（三安光电旗下子公司）则从制造工艺端发力，通过持续迭代先进制程，为产业链提供强有力的技术支撑。

在主流射频芯片工艺中，砷化镓（GaAs）技术占据重要地位，其中HBT（异质结双极晶体管）和pHEMT（赝配高电子迁移率晶体管）是两大核心路线。GaAs HBT凭借其垂直导电结构，能够以微小的基极电流控制较大的集电极电流，从而实现卓越的增益与功率效率。

为应对高频高功率场景需求，三安集成推出自主研发的0.4μm Ledge GaAs HBT工艺平台——H10HP56，显著提升器件的工作频率范围，使其适用于C波段的高功率应用，并重点服务于智能手机、Wi-Fi 7、卫星通信等前沿领域，提供出色的放大性能与系统鲁棒性。

● H10HP56采用三安集成自主开发的InGaP材料外延技术，在保障高电流增益的同时有效降低基极电阻，助力器件实现更高频率响应；
● 紧跟射频前端模组高集成趋势，该工艺全面支持铜柱倒装（Copper Pillar Flip-Chip）封装技术，缩小芯片封装尺寸并增强散热性能，进一步提升系统可靠性；

该工艺已于2024年底完成战略客户项目的先导量产，计划于同年第四季度进入大规模量产阶段。这一进展将有力推动高端集成化射频前端模组、卫星通信终端、车载无线TGU及无人机等新兴应用场景的商业化落地。

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作为少数具备自主外延生长能力的射频代工企业，三安集成长期致力于工艺研发与产线建设，其自研外延技术已覆盖全部主流工艺节点。目前公司拥有每月18,000片砷化镓6英寸晶圆的生产能力。据摩根士丹利（Morgan Stanley）分析报告，截至2025年上半年，三安集成在全球砷化镓射频代工领域的出货量已跃居第二位。

未来，三安集成将持续推出具有竞争力的代工服务，深化与全球客户的合作，成为推动下一代无线通信技术发展的重要力量。

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