工信部拟进一步明确光伏制造项目电耗要求，引导企业减少单纯扩大产能的项目

本站 7 月 9 日消息，工信部今日发布公告，对《光伏制造行业规范条件（2024 年本）》《光伏制造行业规范公告管理办法（2024 年本）》（征求意见稿）公开征求意见。

1. 引导光伏企业减少单纯扩大产能的光伏制造项目，加强技术创新、提高产品质量、降低生产成本。新建和改扩建光伏制造项目，最低资本金比例为 30%。

2. 光伏制造项目电耗应满足以下要求：

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• 现有多晶硅项目还原电耗小于 46 千瓦时 / 千克，综合电耗小于 60 千瓦时 / 千克；新建和改扩建项目还原电耗小于 44 千瓦时 / 千克，综合电耗小于 57 千瓦时 / 千克。
• 现有硅锭项目平均综合电耗小于 7.5 千瓦时 / 千克，新建和改扩建项目小于 6.5 千瓦时 / 千克；如采用多晶铸锭炉生产准单晶或高效多晶产品，项目平均综合电耗的增加幅度不得超过 0.5 千瓦时 / 千克。
• 现有硅棒项目平均综合电耗小于 26 千瓦时 / 千克，新建和改扩建项目小于 23 千瓦时 / 千克。
• 现有多晶硅片项目平均综合电耗小于 25 万千瓦时 / 百万片，新建和改扩建项目小于 20 万千瓦时 / 百万片；现有单晶硅片项目平均综合电耗小于 10 万千瓦时 / 百万片，新建和改扩建项目小于 8 万千瓦时 / 百万片。
• P 型晶硅电池项目平均综合电耗小于 5 万千瓦时 / MWp，N 型晶硅电池项目平均综合电耗小于 7 万千瓦时 / MWp。
• 晶硅组件项目平均综合电耗小于 2.5 万千瓦时 / MWp，薄膜组件项目平均电耗小于 40 万千瓦时 / MWp。

3. 新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求：

• 多晶硅满足《电子级多晶硅》（GB / T12963）3 级品以上要求或《流化床法颗粒硅》（GB / T35307）特级品的要求。
• 多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命不低于 2.5μs，碳、氧含量分别小于 6ppma 和 8ppma；P 型单晶硅片少子寿命不低于 90μs，N 型单晶硅片少子寿命不低于 1000μs，碳、氧含量分别小于 1ppma 和 12ppma，其中异质结电池用 N 型单晶硅片少子寿命不低于 700μs，碳、氧含量分别小于 1ppma 和 14ppma。
• 多晶硅电池、P 型单晶硅电池和 N 型单晶硅电池（双面电池按正面效率计算）的平均光电转换效率分别不低于 21.7%、23.7% 和 26%。
• 多晶硅组件、P 型单晶硅组件和 N 型单晶硅组件（双面组件按正面效率计算）的平均光电转换效率分别不低于 19.7%、21.8% 和 23.1%。CIGS、CdTe 及其他薄膜组件的平均光电转换效率分别不低于 16%、16.5%、15%。

以上就是工信部拟进一步明确光伏制造项目电耗要求，引导企业减少单纯扩大产能的项目的详细内容，更多请关注php中文网其它相关文章！