上海华虹宏力半导体制造有限公司近日获得一项关于cmos图像传感器制造方法的专利授权,专利号为cn114242742b,授权日期为2024年12月6日,申请日期为2021年12月16日,天眼查信息显示。
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该专利描述了一种改进的CMOS图像传感器制造工艺,旨在减少图像中的白点缺陷,同时避免增加生产成本或影响源漏注入工艺。具体步骤如下:首先,在栅极结构侧面形成侧墙,方法是在栅极结构侧面沉积第一介质层,并进行侧墙刻蚀,利用保留在栅极侧面的第一介质层自对准形成侧墙,并在侧墙外保留一定厚度(第一厚度)的第一介质层;其次,在感光二极管区域进行第二导电类型重掺杂离子注入以形成针扎层,利用第一介质层预留的厚度防止离子注入损伤半导体衬底表面;然后,进行侧墙刻蚀后的清洗工艺,此过程会使第一介质层厚度减薄(第二厚度);最后,进行源漏注入,形成对应的源漏区。 这项创新工艺有效降低了CMOS图像传感器的白点率,同时保持了工艺的经济性和效率。
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