中微公司发布六款新半导体设备，涉蚀刻、原子层沉积、外延工艺

9 月 5 日消息，在 cseac 2025 第十三届半导体设备与核心部件及材料展上，中微半导体设备（上海）股份有限公司推出了六款全新半导体设备，涵盖刻蚀、原子层沉积（ald）以及外延工艺等多个关键技术领域。

此次发布的刻蚀设备新品之一是新一代极高深宽比等离子体刻蚀系统 —— Primo UD-RIE，属于CCP电容性高能等离子体刻蚀机。该设备在成熟的 Primo HD-RIE 架构基础上进行全面升级，配备六个单反应台反应腔，并搭载更低频率、更高功率的射频偏压电源，显著提升离子轰击能量，可有效应对极高深宽比结构在精度与产能方面的严苛挑战。

此外，Primo UD-RIE 还集成了多项自主研发的创新技术，包括动态边缘阻抗调节系统、上电极多区温控系统、支持温度切换的多区控温静电吸盘，以及主动控温的边缘组件，全面优化晶圆边缘区域的刻蚀均匀性与良率表现。

▲ Primo UD-RIE

另一款刻蚀设备为 Primo Menova，这是一款面向12英寸晶圆的ICP单腔刻蚀系统，专注于金属刻蚀应用，尤其适用于铝线和铝块的加工，在功率半导体、存储器件及先进逻辑芯片制造中具备广泛适用性。

▲ Primo Menova

在原子层沉积（ALD）领域，中微公司发布了 Preforma Uniflash 金属栅系列设备，提供 TiN、TiAl 和 TaN 三种不同工艺版本，专为先进逻辑与存储器件中的金属栅集成需求而设计。

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该系列产品采用中微独创的双反应台架构，整机最多可配置五个双反应台反应腔，大幅增强工艺灵活性与生产吞吐量，达到行业领先的生产效率水平。

▲ Preforma Uniflash 金属栅系列

在外延（EPI）工艺方面，中微推出了全球首台双腔减压外延设备 —— PRIMIO Epita RP。该设备拥有业界最小的反应腔体积，同时支持最多6个反应腔的灵活配置，不仅减少了化学品和耗材的使用量，还显著降低了制造成本并提升了产能效率。

▲ PRIMIO Epita RP

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